Molekulárna epitaxa lúča alebo MBE je nová technika na pestovanie vysoko kvalitných tenkých vrstiev kryštálov na kryštálových substrátoch. V podmienkach ultravysokého vákua je ohrievací sporák vybavený všetkými druhmi požadovaných komponentov a generuje paru cez otvory vytvorené po kolimácii atómového alebo molekulárneho lúča priamym vstrekovaním na vhodnú teplotu monokryštálového substrátu, riadením pri súčasnom skenovaní substrátu môže vytvoriť molekuly alebo atómy v kryštalických zarovnávacích vrstvách a vytvoriť tenký film na „raste“ substrátu.

Pre normálnu prevádzku zariadenia MBE sa vyžaduje, aby sa do chladiacej komory zariadenia nepretržite a stabilne prepravoval vysokočistý, nízky tlak a ultračistý tekutý dusík. Všeobecne platí, že nádrž, ktorá poskytuje tekutý dusík, má výstupný tlak medzi 0,3 MPa a 0,8 MPa. Kvapalný dusík s teplotou -196 ° C sa počas prepravy potrubím ľahko odparí na dusík. Akonáhle sa kvapalný dusík s pomerom plyn-kvapalina približne 1: 700 splyní v potrubí, zaberie veľké množstvo prietokového priestoru kvapalného dusíka a zníži normálny prietok na konci potrubia s kvapalným dusíkom. Okrem toho sa v zásobnej nádrži na tekutý dusík pravdepodobne nachádzajú nečistoty, ktoré neboli vyčistené. V potrubí na kvapalný dusík bude existencia mokrého vzduchu tiež viesť k tvorbe ľadovej trosky. Ak sa tieto nečistoty dostanú do zariadenia, spôsobí to nepredvídateľné poškodenie zariadenia.

Preto sa kvapalný dusík vo vonkajšej skladovacej nádrži prepravuje do zariadenia MBE v bezprašnej dielni s vysokou účinnosťou, stabilitou a čistotou a nízky tlak, bez dusíka, bez nečistôt, nepretržite 24 hodín, takýto systém riadenia dopravy je kvalifikovaný výrobok.